Hersteller Produktnummer:
TSM1NB60SCT A3
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM1NB60SCT A3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
Inventar:
12899398
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TSM1NB60SCT A3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
138 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TSM1NB60SCTA3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STQ2HNK60ZR-AP
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
9835
TEILNUMMER
STQ2HNK60ZR-AP-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TSM80N1R2CP ROG
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
TSM090N03ECP ROG
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
TSM480P06CP ROG
MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252
